- 產品型號：NE85633-T1B-R25-A
- 制 造 商：Renesas（瑞薩半導體）
- 出廠封裝：TO-236-3
- 功能類別：RF 晶體管（BJT）
- 功能描述：RF TRANSISTOR NPN SOT-23
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Renesas瑞薩完整型號: NE85633-T1B-R25-A
制造廠家名稱: CEL （已被Renesas瑞薩收購）
功能總體簡述: RF TRANSISTOR NPN SOT-23
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓 - 集射極擊穿（最大值）: 12V
頻率 - 躍遷: 7GHz
噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）: 1.1dB @ 1GHz
增益: 11.5dB
功率 - 最大值: 200mW
不同 Ic，Vce 時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）: 125 @ 20mA, 10V
電流 - 集電極（Ic）（最大值）: 100mA
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應商器件封裝: SOT-23
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