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BSZ123N08NS3 G
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Infineon英飛凌公司完整型號:BSZ123N08NS3 G

制造廠家名稱:Infineon Technologies

描述:MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON-8

系列:OptiMOS?

FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)

漏源極電壓 (Vdss):80V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):10A(Ta),40A(Tc)

不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):12.3 毫歐 @ 20A,10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 33μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):25nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):1700pF @ 40V

功率 - 最大值:66W

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:8-PowerVDFN

供應(yīng)商器件封裝:PG-TSDSON-8(3.3x3.3)


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