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BSS159N H6327
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Infineon英飛凌公司完整型號:BSS159N H6327

制造廠家名稱:Infineon Technologies

描述:MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23

系列:SIPMOS

FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能:耗盡模式

漏源極電壓 (Vdss):60V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):230mA(Ta)

不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):3.5 歐姆 @ 160mA,10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 26μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):2.9nC @ 5V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):44pF @ 25V

功率 - 最大值:360mW

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT23-3


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